實(shí)體清單——中芯國(guó)際們的“南泥灣”!
2020-12-21 18:14:18閱讀量:374來(lái)源:芯片大師
導(dǎo)讀:12月20日,中芯國(guó)際公告稱,已經(jīng)獲知公司被美國(guó)商務(wù)部列入“實(shí)體清單”,將對(duì)設(shè)備進(jìn)口、10nm及以下工藝及代工客戶產(chǎn)生不利影響。
圖:中芯國(guó)際公告
這是繼9月5日被列入貿(mào)易“黑名單”和傳出聯(lián)席CEO 梁孟松博士請(qǐng)辭以來(lái),中芯國(guó)際的至暗時(shí)刻。
實(shí)際上,如芯片大師在關(guān)于中芯國(guó)際和梁博士去留的幾點(diǎn)思考一文中提及的,由于此前美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際及相關(guān)國(guó)內(nèi)企業(yè)的實(shí)質(zhì)限制,在有限的軟件、設(shè)備和技術(shù)團(tuán)隊(duì)前提下,基本策略是兵分兩路:一是穩(wěn)定成熟制程產(chǎn)品,加快推進(jìn)并投產(chǎn)至少一條成熟的去美化產(chǎn)線,另一方面在上游取得突破前,暫時(shí)從先進(jìn)制程中抽身,保持預(yù)研的同時(shí)避免被高額投入拖垮。
來(lái)源:中芯國(guó)際
由此,我們得出兩個(gè)基本判斷,一是中國(guó)大陸的7nm及以下先進(jìn)工藝將暫時(shí)停留在研發(fā)階段,夯實(shí)90nm-14nm的主陣地、“查漏補(bǔ)缺”對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展更為重要,同時(shí)特色工藝、第三代半導(dǎo)體都是有機(jī)會(huì)追趕甚至建立局部?jī)?yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。
作為傳統(tǒng)制造業(yè)產(chǎn)能?chē)?yán)重過(guò)剩的國(guó)家,大陸代工產(chǎn)能的不足在這次晶圓漲價(jià)潮中體現(xiàn)得淋漓盡致。普通的MOS、電源IC、模擬芯片最常用的6寸、8寸線尚且要看國(guó)際廠商開(kāi)工情況,過(guò)度追求動(dòng)輒百億美元投入的先進(jìn)工藝線無(wú)疑是鏡花水月。
來(lái)源:中芯國(guó)際
如上圖,MCU、CIS和汽車(chē)芯片領(lǐng)域的許多國(guó)際IDM巨頭均利用成熟工藝制造出差異化、有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品,而國(guó)內(nèi)業(yè)者嚴(yán)重缺乏制造技術(shù)的積累。
二是產(chǎn)業(yè)重心將全面轉(zhuǎn)向去美化、國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,此舉固然拖慢國(guó)內(nèi)廠商追求先進(jìn)工藝的腳步,但有助于從根源上解決產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)問(wèn)題,是對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料、EDA和設(shè)備產(chǎn)業(yè)的巨大利好。
同時(shí),去美化不代表從零開(kāi)始、100%自主研發(fā),半導(dǎo)體是國(guó)際化最徹底的行業(yè),逐步引入相對(duì)可控的日韓和歐洲供應(yīng)商產(chǎn)品、技術(shù)是明智之舉。以下引入一位業(yè)內(nèi)人士的推測(cè):
1、正常的晶圓廠 = 25%歐洲光刻機(jī) + 50%美國(guó)(刻蝕機(jī)、PVD等) + 25%日本(刻蝕、沉積)
2、去美化的晶圓廠 = 25%歐洲光刻機(jī) + 50%日本(刻蝕機(jī)、PVD等) + 25%中國(guó)大陸(刻蝕、PVD、清洗、氧化等)
20年風(fēng)雨芯路,實(shí)體清單不會(huì)是中芯國(guó)際的終點(diǎn),而更有可能是另一個(gè)起點(diǎn),而華為、DJI們也正一同步入“南泥灣”。
半導(dǎo)體是宏大的產(chǎn)業(yè),需要偉大的國(guó)家、海量的資金和人才前赴后繼,江湖路遠(yuǎn),是對(duì)手遲早會(huì)見(jiàn)面的。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0336 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1157 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3143 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 34.83 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9316 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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