導(dǎo)讀：3年以內(nèi)晶圓代工領(lǐng)域的兩強(qiáng)相爭將更為激烈，Intel夢在何方？

1月3日，據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，基于GAAFET改進(jìn)工藝，三星電子已經(jīng)完成3nm制程的研發(fā)工作。

  

圖：三星3nm制程研發(fā)成功（Business Korea）

此前，我們在文章美國正制定規(guī)則，擬限制對中國出口GAAFET技術(shù)！中介紹了3nm時(shí)代具有代表性的GAAFET工藝。

2017年，IBM利用GAAFET實(shí)現(xiàn)了5nm芯片制程。在2018年5月，三星宣布將利用改良自GAAFET的專利結(jié)構(gòu)MBCFET，實(shí)現(xiàn)5nm、4nm及3nm制造工藝，而這一步終于在2020年1月3日得以實(shí)現(xiàn)，這意味著三星將在代工領(lǐng)域繼續(xù)保持對臺(tái)積電的攻勢。

根據(jù)三星此前發(fā)布的工藝路線圖，將使用極紫外（EUV）曝光技術(shù)制造4個(gè)7nm至4nm的FinFET工藝，然后使用EUV制造3nm GAA和MBCFET。同7nm FinFET相比，使用GAA及衍生結(jié)構(gòu)的芯片面積最高減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

這項(xiàng)技術(shù)成果的落地對三星具有里程碑意義，為此，1月2日三星電子副董事長李在镕專程訪問了京畿道的三星半導(dǎo)體研究中心。而臺(tái)積電目前正處于3nm制程試產(chǎn)階段，島內(nèi)負(fù)責(zé)3nm量產(chǎn)的廠房已經(jīng)于2019年順利通過環(huán)評。