英特爾晶圓代工受阻,3nm全面交給臺(tái)積電!
2024-09-11 18:26:30閱讀量:473
近日,在“IFS Direct Connect 2024”會(huì)議上,英特爾CEO表示,英特爾將其處理器核心部分 3nm以下制程交給臺(tái)積電生產(chǎn)。
3nm工藝被視為5nm之后的下一個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),英特爾、三星、臺(tái)積電這三大巨頭均已宣布了各自的3nm研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃。三星在其3nm工藝中采用了GAAFET技術(shù),而臺(tái)積電和英特爾開展合作。
來(lái)源英特爾
除此以外,為扭轉(zhuǎn)下滑的趨勢(shì),英特爾將在全球范圍裁員15%。據(jù)悉,英特爾裁員鎖定在晶圓代工業(yè)務(wù)的員工,但為了維護(hù)臺(tái)芯片廠生產(chǎn)業(yè)務(wù),臺(tái)灣分公司未受波及。
半導(dǎo)體從業(yè)指出,先進(jìn)制程投入成本高昂,然而伴隨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手逐一落后,行業(yè)呈現(xiàn)“贏者通吃”的趨勢(shì),英特爾的 CPU 從 Lunar Lake 開始采用臺(tái)積電代工模式。
雖然有諸多困難,英特爾仍然沒(méi)有放棄“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃的最后一個(gè)工藝技術(shù),已將其工程資源從Intel 20A轉(zhuǎn)移到Intel 18A工藝。
但近期傳出博通對(duì)英特爾18A可行性感到擔(dān)憂,給出不適合量產(chǎn)的結(jié)論。
來(lái)源國(guó)芯網(wǎng)
英特爾曾致力于打造全世界一流的代工業(yè)務(wù),CEO Pat Gelsinger一度將代工廠業(yè)務(wù)視為恢復(fù)英特爾在芯片制造商中的地位的關(guān)鍵,并希望它最終能與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)。
但這一戰(zhàn)略并不成功,反而遭受了巨額虧損。英特爾最新一季財(cái)報(bào),晶圓代工業(yè)務(wù)虧損擴(kuò)大至28億美元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為-65.5%。
對(duì)此,英特爾進(jìn)行降本增效,并積極推動(dòng)轉(zhuǎn)型。預(yù)計(jì)2025年節(jié)省100億美元成本、出售部分業(yè)務(wù),更停發(fā)股息。
行業(yè)人士強(qiáng)調(diào),英特爾已經(jīng)沒(méi)有退路,必須削減所有不必要的支出,將資源集中投入核心芯片業(yè)務(wù)。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0336 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1157 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3143 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 34.83 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9316 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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