之前我們寫過文章說明了CS創(chuàng)世SD NAND與eMMC的對比。今天給大家聊聊CS創(chuàng)世 SD NAND 與SPI NAND的對比。

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這兩個(gè)產(chǎn)品外觀看起來類似孿生兄弟：

  

都是6*8mm大小，SD NAND是LGA-8封裝，SPI NAND是WSON-8封裝。它們有哪些異同點(diǎn)呢？

一， 相同點(diǎn)

1.1 內(nèi)部材質(zhì)

主流基本都使用的是SLC NAND Flash晶圓，擦寫壽命5~10W次

1.2 封裝大小

主流尺寸都是6*8mm，8pin腳

二， 不同點(diǎn)

2.1接口不同

SD NAND正常接CPU的SDIO使用，有些平臺也支持SD NAND接SPI接口（但讀寫速度可能會變慢）； SPI NAND接SPI接口, 接SDIO則無法正常使用。

2.2驅(qū)動程序

基本上主流CPU平臺都自帶SDIO的驅(qū)動，因此SD NAND不需要用戶額外寫驅(qū)動;另外SD NAND內(nèi)置了針對NAND Flash的EDC/ECC，壞塊管理，平均讀寫，垃圾回收等算法。針對NAND Flash的管理完全做好了；而SPI NAND主要是做協(xié)議的轉(zhuǎn)換，從并口轉(zhuǎn)為SPI接口，有部分廠商產(chǎn)品內(nèi)置了EDC/ECC算法，但其他管理機(jī)制未包含在內(nèi)。從而導(dǎo)致了用戶在使用SPI NAND時(shí)還是要寫驅(qū)動程序。

2.3讀寫速度

由于接口和協(xié)議的差異，兩者的速度差異比較大。SD NAND走的是4-bit傳輸帶寬，讀寫速度相比SPI NAND要快很多，最高寫入速度可以達(dá)到Class 10級別；而SPI NAND 主流還是1-bit傳輸模式，讀寫速度要慢很多。

2.4穩(wěn)定度

SD NAND由于內(nèi)置了全套管理算法，在穩(wěn)定度方面會好很多。特別是針對掉電保護(hù)這塊。例如CS創(chuàng)世 SD NAND二代通過了客戶10K次的隨機(jī)掉電測試。而SPI NAND跟Raw NAND 都“繼承”了NAND Flash先擦后寫機(jī)制帶來的弊端，在寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候突然掉電很容易丟失數(shù)據(jù)。

整體來看SD NAND是一個(gè)集成了完整NAND Flash算法的Total Solution，而SPI NAND主要是完成協(xié)議的轉(zhuǎn)換，內(nèi)置的算法并不完整。

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