CS創(chuàng)世 SD NAND和Raw NAND優(yōu)劣勢對比
2022-10-10 15:17:31閱讀量：959
關(guān)于什么是CS 創(chuàng)世 SD NAND(也稱：迷你型eMMC，小尺寸/小容量eMMC，貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡等) 我們之前專門有一個詳情介紹：http://www.longsto.com/product/31.html。
那CS創(chuàng)世 SD NAND與普通NAND Flash(Raw NAND)又有什么區(qū)別呢？這里我們做了一個對比圖：
從上可以看到CS創(chuàng)世 SD NAND跟Raw NAND主要區(qū)別在于：
1，免驅(qū)動使用。SD NAND內(nèi)置了針對NAND Flash的壞塊管理，平均讀寫，動態(tài)和靜態(tài)的EDC/ECC等算法。帶來的好處有：
b） 減少CPU的負(fù)荷。讓后續(xù)針對NAND Flash的操作，都可以交給SD NAND,CPU可以不用再管了。
c） 節(jié)省程序員時間和公司成本。我們有碰到客戶花了3個月時間自己寫NAND Flash驅(qū)動，最終還是放棄了。3個月程序員工時成本是多少，大家可以算一下。
d） 加快產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)度。使用SD NAND，研發(fā)人員可以專注于產(chǎn)品功能的實(shí)現(xiàn)，而不是耗在NAND Flash的底層驅(qū)動上面。
2，性能更穩(wěn)定。由于NAND Flash內(nèi)部是先擦后寫機(jī)制，如果軟件處理不當(dāng)，在突然掉電的時候就會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。而SD NAND內(nèi)部自帶的垃圾回收等機(jī)制可以很好的規(guī)避這個問題。因此CS創(chuàng)世的二代產(chǎn)品才會通過10K次的隨機(jī)掉電測試。
3，尺寸更小。目前SD NAND 是6*8mm 大小，8個pin腳，相比Raw NAND的12*20mm大小，48個pin腳，采用SD NAND可以做出更小巧的產(chǎn)品，而且也能節(jié)省CPU寶貴的GPIO口（這點(diǎn)對于MCU單片機(jī)來說更是重要）
4，SD NAND可選容量更多。目前有128MB/512MB/4GB容量。而SLC 的Raw NAND 主流容量128MB，512MB已經(jīng)少見，供貨周期也很長；單顆4GB的Raw NAND基本都是MLC或者TLC NAND的晶圓，管理起來更復(fù)雜。
5，SD NAND的讀寫速度更快。
| L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
| AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
| BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0336 | |
| LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
| CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1157 | |
| LM393DR2G/比較器 | 0.3143 | |
| ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 34.83 | |
| REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9316 | |
| SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
| 8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |