隨著手機(jī)快充、電動(dòng)汽車、無刷電機(jī)和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展，因其巨大的市場份額，國內(nèi)外諸多廠商在相關(guān)器件廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET作為重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于PD快充、電機(jī)驅(qū)動(dòng)（Motor driver）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、電動(dòng)工具等領(lǐng)域。單管SGT MOSFET：VBGL7103具有低導(dǎo)通電阻且低柵極電荷的優(yōu)點(diǎn)，能夠提高功率密度、降低損耗、并具有更好EMI優(yōu)勢。

 

 

1. 低導(dǎo)通電阻，有效降低損耗

 

VBGL7103采用了獨(dú)特的SGT（屏蔽柵溝槽）工藝設(shè)計(jì)，使得開關(guān)損耗比普通溝槽小得多。其擁有比普通溝槽深3-5倍的深度，不僅在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結(jié)垂直耗盡的基礎(chǔ)上引入了水平耗盡，還能利用更多的外延體積來阻擋電壓。

 

2. 功率、能耗性能突出

由于其溝槽挖掘深度深3-5倍，SGT MOSFET可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，使得導(dǎo)通電阻大大降低。

 

 

3. 降低開關(guān)損耗

SGT技術(shù)的低Qg特性結(jié)合屏蔽柵結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，使得VBGL7103 MOSFET的米勒電容CGD相較傳統(tǒng)器件降低了數(shù)倍以上，極大地減少了在開關(guān)電源應(yīng)用中的開關(guān)損耗，提高了整體效率。此外，其較低的CGD/CGS比值也進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)。

 

4. EMI優(yōu)勢與EAS能力

 
VBGL7103 MOSFET憑借SGT結(jié)構(gòu)較深的溝槽，能夠更有效地利用晶硅體積吸收EAS能量，使其在雪崩過程中表現(xiàn)更為出色，能夠可靠地承受雪崩擊穿和浪涌電流。此外，SGT結(jié)構(gòu)中的CD-shield和Rshield能夠吸收器件關(guān)斷時(shí)由dv/dt變化引起的尖峰和震蕩，進(jìn)一步降低了應(yīng)用中的風(fēng)險(xiǎn)。

 

 

 

參數(shù)特點(diǎn)：

VDS（漏極-源極電壓）: 100V

Vgs（柵極-源極電壓）: 20V

ID（漏極電流）: 180A

 

Rds(on)（導(dǎo)通電阻）:

在10V下: 0.003Ω

在4.5V下: 0.005Ω

 

VBGL7103 MOSFET采用TO-263-7L封裝，這種封裝形式具有以下優(yōu)勢：

 

1. 散熱性能優(yōu)越：有大面積的散熱接觸，能夠更有效地將器件產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到散熱板或散熱器上，提高散熱效率，確保器件在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定性能。

 

2. 易于安裝：封裝結(jié)構(gòu)緊湊，引腳排列合理，便于焊接和安裝，同時(shí)減少了安裝過程中的誤操作風(fēng)險(xiǎn)，提高了生產(chǎn)效率。

 

3. 良好的電氣特性：考慮了電氣接地和阻抗匹配等因素，能夠提供良好的電氣性能，降低電路中的串?dāng)_和干擾，確保信號(hào)傳輸穩(wěn)定可靠。

 

4. 機(jī)械強(qiáng)度高：采用耐高溫材料制成，具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐環(huán)境性，能夠適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境條件。

 

 

 

應(yīng)用領(lǐng)域:

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，VBGL7103能夠穩(wěn)定高效地控制電流，提供卓越的性能表現(xiàn)。

逆變器系統(tǒng)：作為關(guān)鍵開關(guān)器件，可在逆變器系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

電源管理系統(tǒng)：在電源管理中，VBGL7103可提供可靠的功率控制，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。