導讀：近日，意法半導體宣布推出基于 18nm 全耗盡絕緣體上硅 (FD-SOI) 技術的先進工藝，并配備嵌入式相變存儲器 (ePCM)，以支持下一代一代嵌入式處理設備。

這項由意法半導體和三星代工廠共同開發(fā)的新工藝技術，為嵌入式處理應用帶來了性能和功耗的飛躍，同時允許更大的內(nèi)存容量和更高水平的模擬和數(shù)字外設集成。首款基于新技術的下一代 STM32 微控制器將于 2024 年下半年開始向選定客戶提供樣品，計劃于 2025 年下半年投入生產(chǎn)。

意法半導體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁表示：“作為半導體行業(yè)的領先創(chuàng)新者，意法半導體率先為我們的客戶帶來了用于汽車和航空航天應用的FD-SOI和PCM技術。我們現(xiàn)在正在采取下一步行動，從下一代 STM32 微控制器開始，將這些技術的優(yōu)勢帶給工業(yè)應用開發(fā)人員?！?/span>

技術優(yōu)勢
與目前使用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術相比，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 極大地提高了關鍵品質(zhì)因數(shù)：

1、性能功耗比提高 50% 以上
2、非易失性存儲器 (NVM) 密度提高 2.5 倍，可實現(xiàn)更大的片上存儲器
3、數(shù)字密度提高了三倍，可集成人工智能和圖形加速器等數(shù)字外設以及最先進的安全功能
4、噪聲系數(shù)改善 3dB，增強無線 MCU 的射頻性能

該技術能夠在 3V 電壓下運行，以提供電源管理、復位系統(tǒng)、時鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能。它是唯一支持此功能的 20 納米以下技術。該技術還憑借在汽車應用中已得到驗證的強大高溫操作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保留功能，提供了要求苛刻的工業(yè)應用所需的可靠性。