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矽源半導(dǎo)體SS82xx系列,AC-DC降壓型非隔離恒壓控制芯片

2024-02-26 17:27:26閱讀量:926

SS82xx系列是一款分別內(nèi)置800V900V高雪崩能力智能功率MOSFET的降壓型 (Buck) 非隔離恒壓輸出調(diào)節(jié)器。采用特有的多模式控制技術(shù),只需要極少的外圍組件就可以達(dá)到優(yōu)異的恒壓特性。輸出電壓可通過外部FB 電阻調(diào)整。內(nèi)置高壓啟動和自供電模塊 (BVSS 電壓可達(dá)到1000V), 實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機(jī)功耗、自供電等功能。


  

 

產(chǎn)品特性


◆  采用獨(dú)有的 PWM/PFM   多模式控制技術(shù),無需環(huán)路補(bǔ)償電容

◆  系統(tǒng)待機(jī)功耗低,效率高,動態(tài)特性好,輕載噪聲低

◆  芯片內(nèi)置多種保護(hù)措施:

1) 軟啟動

 2) 芯片供電欠壓、鉗位、過壓保護(hù)

3) 系統(tǒng)過溫保護(hù)

4) 逐周期限流保護(hù)

5) 輸出過壓,短路保護(hù)

6) 電流采樣前沿消隱


   

 

在某些特定情況下,800V/900V  MOSFET可以在其源極和漏極之間承受高達(dá)800V/900V 的電壓,而不會發(fā)生擊穿或損壞。800V/900V  MOSFET 通常用于高壓應(yīng)用,如工業(yè)控制、變頻驅(qū)動器、逆變電 源和太陽能逆變器等。它們具有高耐壓能力,能夠處理較高的電壓和功率級別,同時(shí)提供較低的開關(guān)功耗和更高的效率。需要注意的是,800V/900V  MOSFET需要在設(shè)計(jì)電路中正確使用和配置,以確保其穩(wěn)定和可靠性,并避免超過其額定電壓,否則可能會導(dǎo)致器件失效。


SS82xx  系列選型表


產(chǎn)品型號

靜態(tài)工作電流

(μA,典型)

MOS耐壓

(V)

驅(qū)動器件類型

VOUT1/VOUT2

(V)

工作溫度范圍

(℃)

封裝

SS8201

160

800

內(nèi)置NMOS

外部可調(diào)

-40~125

SOP8

SS8202

160

900

內(nèi)置NMOS

外部可調(diào)

-40~125

SOP8

 

標(biāo)簽圖標(biāo)
AC-DC | orisilicon(矽源)