微碧VBsemi推出超結(jié)(SJ) MOSFET在車載充電器(OBC)的應(yīng)用說(shuō)明
2024-02-21 16:11:12閱讀量:619
車載充電器(OBC)
車載充電器是電動(dòng)汽車電源系統(tǒng)的重要組成部分,它具有對(duì)電動(dòng)汽車動(dòng)力電池安全、自動(dòng)充電的能力。
一般分為單向車載充電機(jī)、雙向車載充電機(jī)和集成式車載充電機(jī)。
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,充電安全及技術(shù)越發(fā)重要, 分立式高壓元件在車載充電器(OBC)應(yīng)用領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。由于其成本優(yōu)勢(shì),越來(lái)越多的基于模塊的解決方案正被立式高壓元件所取代。這不僅提高了產(chǎn)品的性價(jià)比,更是帶來(lái)了更高效、緊湊的設(shè)計(jì)理念。
超結(jié)MOSFET
超結(jié)MOSFET是目前主流中低壓OBC、DC-DC電源方案考慮性能、成本與效率的最佳選擇。它是汽車電動(dòng)化后新增的重要器件類型,主要應(yīng)用在DC-DC電源和OBC中。一般在新能源汽車中,車載充電器部分SJ MOSFET 可以用到16個(gè)以上。
VBsemi推出新系列SJ MOSFET
微碧半導(dǎo)體推出的SJ MOSFET,多層外延超結(jié)的MOSFET系列產(chǎn)品,通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),采用了更加先進(jìn)的工藝制造技術(shù),進(jìn)一步提高了產(chǎn)品性能。
該系列具備了更加卓越的雪崩耐壓性能,極大增強(qiáng)了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
在OBC應(yīng)用中,它可以實(shí)現(xiàn)更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更低的損耗和更小的體積,從而滿足電動(dòng)汽車對(duì)車載充電機(jī)OBC的要求,提供了更多選擇。
VBsemi推出的SJ MOSFET的優(yōu)勢(shì)
1. 高效能
超低的導(dǎo)通內(nèi)阻和Qg值,設(shè)備可以在輕載和滿載狀態(tài)下均能保持高效率,大幅降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。
2. 低溫升
低功耗特性有效降低電源整體工作溫度,進(jìn)而延長(zhǎng)電源使用壽命。
3. 低內(nèi)阻
器件具有卓越的內(nèi)阻性能,相同芯片面積下,內(nèi)阻僅為傳統(tǒng)MOS器件的一半以上。
4. 穩(wěn)定性卓越
強(qiáng)大的EAS抗沖擊能力為電源提供保障,芯片內(nèi)部缺陷,遠(yuǎn)低于低成本溝槽工藝產(chǎn)品,高溫穩(wěn)定性大幅提升。
5. 體積緊湊
在滿足同等電壓和電流要求下,超結(jié)(SJ)MOS芯片面積可做到比傳統(tǒng)MOS更小,實(shí)現(xiàn)更小巧的封裝設(shè)計(jì)。
6. 應(yīng)用范圍廣
廣泛應(yīng)用于各類市場(chǎng),包括消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)以及汽車級(jí)等多重靈域。
微碧SJ MOSFET產(chǎn)品

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0336 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1157 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3143 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 34.83 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9316 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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