無錫明芯的大功率反激芯片MX1210E在電動兩輪車充電器、電動工具上的應(yīng)用
2023-04-18 14:48:45閱讀量:1044
在電動車充電器中的功率通常在70W-200W之間,采用LLC結(jié)構(gòu)的價格成本太高。反激芯片還是首選,下面就是一個典型的應(yīng)用案例分享,客戶需要的是54V3A的充電規(guī)格,為了提高產(chǎn)品的安全性能,客戶需要外部過溫保護(hù)和輸出過壓保護(hù),為了防止在電壓輸入低的情況下FET不要一直導(dǎo)通,該應(yīng)用集成輸入欠壓保護(hù),為了提高效率降低體積,要有優(yōu)秀的的準(zhǔn)諧振功能,無錫明芯的MX1210E,MX1210F就是集成了上述的一款國產(chǎn)化產(chǎn)品
CS腳做Cycle by cycle的過流保護(hù),連接外面的NTC做外部過溫保護(hù), DEMAG腳采集輔助繞組的電壓做輸入欠壓和輸出過壓保護(hù),MX1210E的gate的驅(qū)動能力drive 1.2A ,sink 0.8A能夠驅(qū)動外面大功率的FET合并帶有谷底導(dǎo)通,大大降低了開關(guān)損耗,提高了效率。
MX1210的CS引腳在MOSFET關(guān)斷時,可以作為外部OTP的保護(hù),其內(nèi)部閾值為0.8V(typical)。當(dāng)主MOSFET關(guān)斷時,輔助繞組的電壓為正電壓,經(jīng)過快恢復(fù)二極管后經(jīng)過RSET、RNTC以及RCSP+RCS進(jìn)行分壓,與內(nèi)部的VCS_EXOTP(0.8V)進(jìn)行比較,當(dāng)其分壓值大于0.8V時,系統(tǒng)進(jìn)入外部OTP保護(hù)
主MOSFET關(guān)斷時,輔助繞組電壓為正,通過RD2和RD1的分壓與內(nèi)部的基準(zhǔn)進(jìn)行比較,欠壓閾值為0.35V,過壓閾值為3.6V。輸出短路保護(hù)與欠壓保護(hù)功能相同,都是輸出電壓下降后,延遲12ms進(jìn)入可自恢復(fù)的保護(hù),這一點不同于傳統(tǒng)的FB_OLP保護(hù)延遲60ms。

ISO1540DR/隔離式I2C | 2.78 | |
LMR14050SDDAR/DC-DC電源芯片 | 1.42 | |
LMR16030SDDAR/DC-DC電源芯片 | 1.64 | |
TPL0501-100DCNR/數(shù)字電位器 | 3.19 | |
TCA9535PWR/I/O擴(kuò)展器 | 1.58 | |
MC33063ADR/DC-DC電源芯片 | 0.5622 | |
TLV3201AIDBVR/比較器 | 1.3 | |
MP1584EN-LF-Z/DC-DC電源芯片 | 15.27 | |
MP4560DN-LF-Z/DC-DC電源芯片 | 21.21 | |
MP2338GTL-Z/DC-DC電源芯片 | 8.36 |