英特爾CEO:首款1.8nm芯片將在年內(nèi)流片
2022-09-28 17:52:26閱讀量:749來(lái)源:英特爾
導(dǎo)讀:在9月28日凌晨舉行的英特爾創(chuàng)新大會(huì)上,CEO基辛格強(qiáng)調(diào)摩爾定律不會(huì)死,還會(huì)活得很好,他們將在4年內(nèi)搞定5代CPU工藝,包括年內(nèi)將完成首款18A工藝芯片的流片。
圖:英特爾
根據(jù)英特爾介紹,這五代工藝分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A,其中Intel 7就是去年底12代酷睿上首發(fā)的工藝,13代酷睿也會(huì)繼續(xù)用,明年則會(huì)升級(jí)Intel 4,首次支持EUV光刻工藝。
不過(guò)Intel真正在工藝上再次領(lǐng)先的是20A及18A兩代工藝,從20A開(kāi)始進(jìn)入埃米級(jí)節(jié)點(diǎn),放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管,相當(dāng)于友商的2nm、1.8nm水平。
同時(shí)Intel也會(huì)在20A、18A上首發(fā)兩大突破性技術(shù),也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),通過(guò)消除晶圓正面供電布線需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。
在這次創(chuàng)新大會(huì)上,Intel CEO基辛格還透露了18A工藝的最新進(jìn)展,今年底將會(huì)有首款芯片流片,雖然他沒(méi)有提及具體的芯片型號(hào),但能夠走到流片這一步,意味著Intel的“1.8nm”工藝已經(jīng)有相當(dāng)高的成熟度了。
L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0336 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1157 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3143 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 34.83 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9316 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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