導(dǎo)讀：7月13日，DIGITIMES援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，臺積電將很快披露在南京廠擴(kuò)建的基礎(chǔ)上，在新工廠增建28nm和12/16nm工藝產(chǎn)線的計劃。

  

來源：DIGITIMES

如果上述消息屬實(shí)，將意味著臺積電可能將在大陸新建至少一座fab，而不只是擴(kuò)大原有產(chǎn)線，理論上12/16nm工藝產(chǎn)能的增加將不止一倍。

如此之大的動作不僅將打破臺積電在中美現(xiàn)階段的產(chǎn)能分布，也對大陸地區(qū)先進(jìn)工藝晶圓代工格局有直接影響。畢竟目前臺積電旗下的6座12寸晶圓廠中就有一座位于中國大陸，一旦新fab決定開工，進(jìn)度又將大概率領(lǐng)先于美國亞利桑那州的先進(jìn)晶圓廠。

甚至有猜測認(rèn)為，該計劃可能與美國政府施壓南京廠擴(kuò)產(chǎn)有關(guān)，此前臺積電稱靜默期不回應(yīng)相關(guān)傳言。

  

圖：臺積電旗下6座12寸晶圓廠

4月，芯片大師曾爆料缺水缺電！臺積電擬將2萬片產(chǎn)能移至大陸，隨后臺積電正式公布了這項(xiàng)耗資289億美元、將臺積電南京廠（Fab16）28nm或以下工藝產(chǎn)能提高一倍的計劃。

也就是說，臺積電在計劃中已經(jīng)預(yù)留了升級產(chǎn)能甚至建設(shè)新fab的可能性。而12/16nm節(jié)點(diǎn)，目前也是大陸晶圓廠最先進(jìn)的邏輯工藝節(jié)點(diǎn)，如中芯國際此前在海思麒麟710A上量產(chǎn)的14nm工藝。

  

圖：臺積電南京廠（Fab16）

南京廠（Fab16）現(xiàn)階段月產(chǎn)能為2萬片采用12/16nm工藝的12英寸晶圓，在原有產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)之后，南京廠基于28nm及以下工藝的12英寸晶圓月產(chǎn)能將翻倍至每月4萬片，幫助解決未來大陸地區(qū)IC設(shè)計客戶的迫切需求。

同時，臺積電已將其2021年的資本支出目標(biāo)提高到300億美元，其中80%將用于7nm、5nm和3nm工藝，10%用于擴(kuò)大先進(jìn)封裝能力。

除此之外，臺積電已經(jīng)在新竹獲得了用于新建2nm晶圓廠的土地。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，臺灣地區(qū)代工業(yè)產(chǎn)值從2019年的375億美元增長到2020年的491億美元，同比增長31%。