導(dǎo)讀：2月25日，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)正式公布“首顆國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片”，同時(shí)搭載該芯片的DDR4模組也正式曝光。

  

圖：DDR4 內(nèi)存芯片（來(lái)源：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）

該芯片單顆容量為8Gb（即1GB）速率2666Mbps，工作電壓1.2V，與市面上主流桌面PC和筆記本內(nèi)存顆粒參數(shù)接近，芯片大師猜測(cè)應(yīng)為此前長(zhǎng)鑫宣布試產(chǎn)的10nm級(jí)工藝——初代為19nm。DDR4模組即常說(shuō)的內(nèi)存條，這次一同曝光的單條內(nèi)存容量為8GB，長(zhǎng)鑫強(qiáng)調(diào)其為自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)和原廠內(nèi)存顆粒，可以視為RAM芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和PCB模組均為長(zhǎng)鑫獨(dú)立完成。

芯片大師2019年9月份曾報(bào)道合肥長(zhǎng)鑫：DRAM工藝已提升至10nm級(jí)別，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始使用19nm制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖，包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。

  

圖：DDR4 8GB 內(nèi)存模組（來(lái)源：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）

不僅如此，在現(xiàn)有的一座12寸晶圓廠基礎(chǔ)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DRAM。

長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來(lái)源主要是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，長(zhǎng)鑫董事長(zhǎng)朱一明介紹，通過(guò)整體收購(gòu)和專利授權(quán)等方式，長(zhǎng)鑫從奇夢(mèng)達(dá)獲得了一千多萬(wàn)份DRAM技術(shù)文件及2.8TB的數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過(guò)25億美元。同時(shí)，朱一明是國(guó)內(nèi)最大NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新（GD）的創(chuàng)始人。

  

圖：2019年12月長(zhǎng)鑫購(gòu)入奇夢(mèng)達(dá)專利（來(lái)源：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）

長(zhǎng)鑫主攻的DRAM是全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)最大的一塊蛋糕，占存儲(chǔ)器產(chǎn)值的52%，全球年產(chǎn)值約為746億美元，最大的廠商為三星和美光，美韓企業(yè)全球市場(chǎng)份額合計(jì)為94.8%；NAND占存儲(chǔ)器產(chǎn)值的45%，全球年產(chǎn)值為645億美元，最大廠商為SK 海力士、三星、美光和西數(shù)（WD），美韓企業(yè)全球市占率為81.4%。

全球存儲(chǔ)器格局請(qǐng)見(jiàn)3張圖搞懂：為什么中國(guó)一定要做存儲(chǔ)器？

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域主要廠商有，DRAM：紫光國(guó)芯、芯成半導(dǎo)體（ISSI）、合肥長(zhǎng)鑫；NAND：長(zhǎng)江存儲(chǔ)，NOR：兆易創(chuàng)新（GD）。其中，紫光國(guó)芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫被稱為“存儲(chǔ)器國(guó)家隊(duì)”，紫光品牌的內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條、SSD產(chǎn)品2019年均已面世。存儲(chǔ)器控制芯片（主控）：華為海思、國(guó)科微、珠海建榮、聯(lián)蕓科技、北京憶芯等。

以下為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器企業(yè)的不完全統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。

  

來(lái)源：芯片大師研究院【中國(guó)芯片地圖（2019）】

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